elektronica vragenreeks 5

COMPONENTEN : veldeffecttransistoren

Bij veldeffecttransistoren wordt de geleiding in een kanaal gecontroleerd door een elektrisch veld, dat het gevolg is van de spanning tussen de drain-elektrode en de source-elektrode. In praktische schakelingen die gebruik maken van FET's, zal in alle gevallen de gate een stroom trekken van enkele milli-ampères. De ingangsimpedantie van een MOSFET is zeer klein. Zonder gepaste voorzorgsmaatregelen zijn MOSFET's vrij gevoelig voor beschadiging door statische elektriciteit. De N-kanaal MOSFET is niet-geleidend bij een negatieve V_GS-spanning en gaat geleiden door de gate positief te maken t.o.v. de source. We kunnen elke veldeffecttransistor opvatten als een spannings-versterker. MOSFET's zijn niet geschikt als spanninggestuurde analoge schakelaar. MOSFET's bezitten een kleine ON-weerstand en een zeer grote OFF-weerstand. Wanneer we een MOSFET toepassen als gestuurde analoge schakelaar, dan is het signaalniveau op de gate absoluut niet kritisch, zolang het maar hoger is dan de grootste te schakelen signaalamplitude. Omwille van de diode-overgang die zich bevindt tussen drain en source, kunnen we vermogen MOSFET's bidirectioneel gebruiken bij het ontwerpen van analoge schakelaars.